×
×

Vishay推出的新款60V MOSFET是业内首款实用于尺度栅极驱动电路的器件

2019-08-13 09:01:05 源头:Vishay
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣告,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款实用于尺度栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,接收热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN尤为用于进步功率转换拓扑结构的效力以及功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具备低输入电荷(QOSS)。



 

与逻辑电平60 V器件了始终同,SiSS22DN进步了榜样VGS(th)以及Miller(米勒)平台电压,实用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动静特色收缩逝世区时间,克服同步整流运用发作击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产物低4.8%—与当先的逻辑电平器件中分秋色—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或者开关柜拓扑结构功率转换构想中,MOSFET的弛缓优值系数(FOM)到达最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决办理节约65%的PCB空间。

 
SiSS22DN改造了技术规格,通过调校最大制约起飞导通以及开关斲丧,多电源管理体系构件可实现更高效力,包罗AC/DC以及DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通讯以及办事器电源OR-ing成果、电动工具以及产业设置装备排列电机驱动管制以及电路维护、电池管理?榈牡绯匚ひ约俺涞。

 
MOSFET通过100 % RG以及UIS测试,合乎RoHS尺度,无卤素。

 
SiSS22DN现可提供样品并已经实现量产,供货周期为30周,视市场状况而定。

 
VISHAY简介


Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财产1000 强企业”,是环球分立半导体(二极管、MOSFET以及红外光电器件)以及无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大打造商之一。这些元器件可用于产业、计较、汽车、耗损、通讯、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎整个范例的电子设置装备排列以及设置装备排列。凭仗产物翻新、败北的收买策略,以及“一站式”办事使Vishay成了环球业界当先者。无关Vishay的详细音讯,敬请欣赏网站 www.vishay.com。


整个批判

X